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电子器件的封装缺陷和失效

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使用MOS管的注意事项

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使用MOS管的注意事项 MOS管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 所有MOS集成电路(包括P沟道MOS,N沟道MOS,互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm、50nm、80nm三种。 在集成电路高阻

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中国芯片设计产业浅析 中国在半导体产业链中最蓬勃发展的就是IC设计, 2018年中国IC设计产值达人民币 2519亿元,年增21.46%,而过去几年一直保持20%以上的成长速度。若全球比重来看,中国IC设计产值占全球IC设计产值的比重从2012年12.9%上升至2017年31.5%,有显著的提升。 (资料来源: 中国半导体协会) 中国IC 设计产业产值及占全球比重 中国IC设计产业中,以通讯领域比重最高,2018年产值达人民币 1047亿元,年增16.3%,比重约40%,较

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芯片封装的市场需要分析 集成电路是国家的战略性基础性产业,其技术水平和产业规模已成为衡量一个国家综合实力的重要标志。微电子封装与微系统集成技术是以先进集成电路封装制造技术为基础,将集成电路、传感器、微能源、微执行器、微机械、等器件或单个或多个高密度地一体化集成,形成体积小功能强大的电子产品,以满足国防、通信、物联网、汽车、消费类电子、医疗保健等领域的广泛需求。

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